產品介紹
陶瓷散熱基板薄膜製程真空濺鍍代工
薄膜沉積(PVD)技術/真空濺鍍
各式被動元件AlN, Al2O3 陶瓷基板與Si wafer 金屬化代工，可濺鍍 鈦,銅等薄膜種子層，膜厚控制0.05μm ~ 0.5μm。
電鍍厚膜技術/填孔電鍍
被動元件Al2O3 , AlN 陶瓷基板與Si wafer 電鍍厚膜與填孔代工， 填孔孔徑0.08mm~0.15mm /鍍層膜厚控制1μm ~ 100μm。
微線路影像轉移技術
氧化鋁,氮化鋁陶瓷與矽晶圓基板薄膜線路代工，光阻膜厚40~80μm 最小線寬 50μm 最小線距75μm。
其他附屬相關設備
本公司並設有化學實驗室/無塵高溫烤箱/抗氧化清洗機與多項儀器設備，以便於最短時間內得到相關分析數據。
陶瓷金屬化薄膜厚度
陶瓷基板規格
